[发明专利]光伏器件的金属触点及其低温制造工艺无效
申请号: | 201110328908.1 | 申请日: | 2011-10-26 |
公开(公告)号: | CN102456773A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 布兰登·M·卡耶斯;伊西克·C·奇吉尔亚里;聂辉;美利莎·J·艾契尔 | 申请(专利权)人: | 奥塔装置公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 周靖;郑霞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明的实施方式大体涉及光伏器件,且更具体地涉及布置在诸如光伏电池的光伏器件上的金属触点,以及涉及形成这样的金属触点的制造工艺。金属触点包含在退火工艺期间在低温下形成的钯锗合金。在一些实施方式中,在退火工艺期间,可将光伏电池加热到约20℃至约275℃范围内的温度,例如在约150℃下持续约30分钟。在其他实施方式中,在退火工艺期间,可将光伏电池加热到约150℃至约275℃范围内的温度,持续至少约0.5分钟的时间段。 | ||
搜索关键词: | 器件 金属 触点 及其 低温 制造 工艺 | ||
【主权项】:
一种在光伏器件上形成金属触点的方法,包括:在光伏电池的吸收层上沉积钯层;在所述钯层上沉积锗层;在所述锗层上沉积金属覆盖层;并且将所述光伏电池加热到约20℃至约275℃范围内的温度,以形成布置在所述吸收层和所述金属覆盖层之间的钯锗合金。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的