[发明专利]电压开关电路有效
| 申请号： | 201110329202.7 | 申请日： | 2011-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103078618A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 柏正豪;沈俊吉 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种电压开关电路，该电压开关电路中利用低掺杂(Lightly Doped)PMOS晶体管来承受高电压应力，使得NMOS晶体管不会承受高电压应力，由于而低掺杂PMOS晶体管兼容于逻辑电路制程，因此电压开关电路可在逻辑电路制程下来完成。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 开关电路 | ||
【主权项】：
一种电压开关电路，包括：一输出电路，包括一第一PMOS晶体管，源极与体极连接至一高电压源，漏极连接至该电压开关电路的反相输出端，栅极连接至该电压开关电路的输出端；以及，一第二PMOS晶体管，源极与体极连接至该高电压源，漏极连接至该电压开关电路的输出端、栅极连接至该电压开关电路的反相输出端；一第一压降控制电路，包括一第三PMOS晶体管，体极连接至该高电压源，源极连接至该反相输出端，漏极连接至一节点e，栅极连接至一参考电压源；以及，一第四PMOS晶体管，体极连接至该高电压源，源极连接至该输出端，漏极连接至一节点f，栅极连接至该参考电压源；一第二压降控制电路，包括一第一NMOS晶体管、一第二NMOS晶体管、一第一偏压控制电路与一第二偏压控制电路；其中，该第一NMOS晶体管的漏极连接至该节点e与该第一偏压控制电路的控制端，栅极连接至该第一偏压控制电路的输出端，体极与源极连接至一节点c；以及，该第二NMOS晶体管，漏极连接至该节点f以及该第二偏压控制电路的控制端，栅极连接至该第二偏压控制电路的输出端，体极与源极连接至一节点d；一第三压降控制电路，包括一第三NMOS晶体管，漏极连接至该节点c、栅极连接至一逻辑电压源、体极与源极连接至一节点a；以及，一第四NMOS晶体管，漏极连接至该节点d、栅极连接至该逻辑电压源、体极与源极连接至一节点b；以及一输入电路，包括一第五NMOS晶体管，一第六NMOS晶体管，一第三偏压控制电路，与一第四偏压控制电路；其中，该第五NMOS晶体管，漏极连接至该节点a以及该第三偏压控制电路的输出端，栅极连接至该电压开关电路的输入端，体极与源极连接至一接地端；以及，第六NMOS晶体管，漏极连接至该节点b以及该第四偏压控制电路的输出端，栅极连接至该电压开关电路的反相输入端，体极与源极连接至该接地端。
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