[发明专利]LED芯片的制造方法有效

专利信息
申请号: 201110329555.7 申请日: 2011-10-24
公开(公告)号: CN102610711A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 木山直哉;中谷郁祥 申请(专利权)人: 三星钻石工业股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;B23K26/38
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 孟锐
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的发明是一种LED芯片的制造方法。本发明提供的LED的制造方法中,当通过从背面侧照射激光来形成分割起点时,无需另外事先沿着预定分割线除去反射膜。LED芯片的制造方法中包括如下步骤:对于母板(1)沿着预定分割线照射激光光束L,从而形成用于分割成各个LED元件主体(2)的分割起点A,所述母板(1)中,在透光性基板(1)的表面侧(1a)以图案形成着多个LED元件主体(2),并且在背面侧(1b)包括预定分割线上的部位在内形成着反射膜(3),该制造方法中,在背面侧(1b)形成反射膜(3),且以使激光光束L从背面侧(1b)透过反射膜(3)而直接照射在基板背面的方式对基板(1)进行激光加工,所述反射膜(3)具有如下性质:将LED元件主体(2)发出的发出光和荧光材料的荧光的波长范围反射,且使照射在预定分割线上的激光光束L的波长光透过。
搜索关键词: led 芯片 制造 方法
【主权项】:
一种LED芯片的制造方法,其特征在于:包括对于母板沿着预定分割线照射激光光束从而形成用于分割成各个LED元件主体的分割起点的步骤,该母板中,在透光性基板的表面侧以图案形成着多个LED元件主体,且在背面侧包括预定分割线上的部位在内形成着反射膜,该LED芯片的制造方法中,在背面侧形成反射膜,所述反射膜具有将来自所述LED元件主体的发出光的波长范围反射、且使照射在预定分割线上的激光光束的波长光透过的性质,且以使所述激光光束从背面侧透过反射膜直接照射在基板背面上的方式对基板进行激光加工。
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