[发明专利]蚀刻发光器件的生长层以减小漏电

摘要

本发明涉及一种制造LEDs的方法，该方法在向台面结构上沉积有源层和其余外延层之前，通过为n-掺杂的外延层形成图案和蚀刻来形成n-掺杂层粗糙的表面区域以及临近粗糙的表面区域的台面结构。该方法包括生长LED的外延层，该外延层包括非掺杂层和在生长衬底的晶圆上的n-掺杂层。该方法还包括为n-掺杂层形成图案以形成n-掺杂层的第一区域和临近该第一区域的n-掺杂层的台面区域。该方法进一步包括蚀刻n-掺杂层的第一区域以生成粗糙的表面。该方法进一步包括生长附加的LED外延层，该附加的外延层包括有源层和在n-掺杂层的台面区域上的p-掺杂层。

主权项

一种制造发光二极管(LED)的方法包括：提供生长衬底；在所述生长衬底上生长第一外延层，其中，所述第一外延层包括在所述生长衬底上方的非掺杂层和在所述非掺杂层上方的n‑掺杂层；图案化所述n‑掺杂层，以形成所述n‑掺杂层的第一区域和临近所述第一区域的所述n‑掺杂层的台面区域；蚀刻所述n‑掺杂层的所述第一区域，以产生所述n‑掺杂层的所述第一区域的粗糙表面；在所述n‑掺杂层的所述台面区域上生长附加的外延层，其中，所述附加的外延层包括在所述n‑掺杂层的所述台面区域上方的有源层和在所述有源层上方的p‑掺杂层；以及在所述p‑掺杂层上和在所述第一区域中的所述n‑掺杂层的所述粗糙表面上形成金属触点。