[发明专利]作为GaN基LED的衬底材料的Al2O3透明陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 201110329850.2 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102503381A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 杨秋红;陆神洲;张浩佳;徐军;汪晨 | 申请（专利权）人： | 苏州协鑫工业应用研究院有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/622 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 肖明芳 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种作为GaN基LED的衬底材料的Al2O3透明陶瓷及其制备方法。本发明采用高纯度α-Al2O3为基体材料，以高纯度MgO为烧结助剂，在较低温度下，采用固相烧结法制备α-Al2O3透明陶瓷。本发明方法适于制备大尺寸产品，成本低，适宜规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 作为 gan led 衬底 材料 al sub 透明 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
作为GaN基LED的衬底材料的Al2O3透明陶瓷的制备方法，其特征在于，它包括如下步骤：(1)采用高纯Al2O3、MgO为原料，以Al2O3为基体材料，MgO为烧结助剂；所述的高纯为纯度在99.9％以上，MgO的掺入质量为Al2O3质量的0.05～0.5％；(2)将步骤(1)所述的基体材料和烧结助剂搅拌混匀，混合料在蒸馏水中混磨8～24小时；(3)将步骤(2)得到的物料在100～150℃下烘干，然后加入质量百分浓度为5～8％的粘结剂聚乙烯醇水溶液，加入量为烘干后混合物料质量的3～5％，并进行造粒；(4)将步骤(3)得到的粉粒在180～220MPa冷等静压下压成片状试样，然后在800～1000℃下预烧5～10小时将粘结剂去除；(5)将步骤(4)预烧后的物料放在钼丝氢气炉或真空炉中，进行烧结，烧结温度范围为1650～1800℃，烧结时间为5～20小时，获得致密透明的α‑Al2O3陶瓷；(6)将步骤(5)得到的α‑Al2O3陶瓷经常规切片、研磨、抛光工序，用作GaN薄膜衬底。
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