[发明专利]光电转换元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110329938.4 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102456753A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 内藤胜之 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L51/52;H01L51/54 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光电转换元件，其包括光电转换层、阴极和阳极。所述阴极设置在所述光电转换层的一个表面上，其包括一部分碳原子至少被氮原子取代的单层石墨烯和/或多层石墨烯。所述阳极设置于该光电转换层的另一个表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电转换元件，其包括：光电转换层；设置于所述光电转换层的一个表面上的阴极，所述阴极包括一部分碳原子至少被氮原子取代的单层石墨烯和/或多层石墨烯；和设置于该光电转换层的另一个表面上的阳极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
