[发明专利]氧化铜分级阵列薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201110329940.1 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103058124A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 李越;段国韬;刘广强;张洪文;蔡伟平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00;C23C14/28;C23C14/08 |
| 代理公司： | 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 | 代理人： | 任岗生;王挺 |
| 地址： | 230031*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氧化铜分级阵列薄膜及其制备方法。薄膜由位于基底上的表面覆有氧化铜的微米球和亚微米球组成，薄膜的厚度为1～10μm，其中的微米球按六方有序排列、亚微米球位于微米球之间，微米球和亚微米球的球直径分别为1～10μm和100～800nm，氧化铜为棒长为50～400nm、棒直径为30～60nm的棒簇状；方法为先于基底上将微米球合成为六方紧密排列的单层晶体模板，再使用活性等离子体刻蚀模板，得到其上的微米球呈六方有序松散排列的模板，接着，先将亚微米球充填于模板的微米球之间的空隙中，得到复合晶体模板，再使用激光脉冲沉积法于复合晶体模板上沉积氧化铜，制得目标产物。它可广泛地用于仿生材料、催化、光电子、微流体器件、气敏器件等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铜 分级 阵列 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化铜分级阵列薄膜，包括表面覆有氧化铜的微球，其特征在于：所述微球为微米球和亚微米球，所述微米球和亚微米球位于基底上，并组成厚度为1～10μm的薄膜，所述薄膜中的微米球按六方有序排列、亚微米球位于微米球之间；所述微米球的球直径为1～10μm，所述亚微米球的球直径为100～800nm；所述氧化铜为棒簇状，所述构成棒簇的氧化铜棒的棒长为50～400nm、棒直径为30～60nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院合肥物质科学研究院，未经中国科学院合肥物质科学研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110329940.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于新时空融合的步态区域分割算法
- 下一篇：USB弹出装置
