[发明专利]动态纳米刮印结合等离子体聚合制作纳米通道的方法及系统无效
| 申请号： | 201110330329.0 | 申请日： | 2011-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102390804A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 王旭迪;汤启升;涂吕星;刘玉东;李鑫;郑正龙;金建 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 230009 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种动态纳米刮印结合等离子体聚合制作纳米通道的方法及系统，其特征是：在硅片上制作出纳米尺寸光栅图形的模板，纳米尺寸光栅图形在模板的上表面前沿的棱边上形成有光栅线槽；将柔性聚合物基底设置为可连续前行的传送带，其在传送过程中首先经过设置在固定位置上的模板的下方并在模板的刮印下形成沿传送带传送方向上的纳米线槽图形；随后进入真空室内通过等离子体聚合在柔性聚合物基底上成膜，成膜是由两种混合气体在辉光放电的情况下电离成离子并反应，以反应生成物的沉积完成柔性基底上线槽顶部密封，形成纳米通道。本发明可以实现连续大面积聚合物纳米通道的制作，拓展纳米通道的应用领域。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 纳米 结合 等离子体 聚合 制作 通道 方法 系统 | ||
【主权项】：
动态纳米刮印结合等离子体聚合制作纳米通道的方法，其特征是：利用光刻或电子束刻在硅片上制作出纳米尺寸光栅图形的模板(6)，所述纳米尺寸光栅图形在模板(6)的上表面前沿的棱边上形成有光栅线槽；将柔性聚合物基底(18)设置为可连续前行的传送带，所述传送带在传送过程中首先经过设置在固定位置上的模板(6)的下方，并由模板(6)上带有光栅线槽的棱边在柔性聚合物基底(18)表面刮印形成沿传送带传送方向上的纳米线槽图形；连续前行的柔性聚合物基底(18)随后进入真空室(12)内，在所述真空室(12)中通过等离子体聚合法在所述柔性聚合物基底(18)上成膜，所述成膜是由两种混合气体在辉光放电的情况下电离成离子并反应，反应的生成物分别沉积在光栅线槽的底部、侧壁，并通过生成物的沉积使线槽顶面封闭，形成位于线槽内的、密封的纳米通道(19)。
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