[发明专利]金属陶瓷基片以及用于制造这种基片的方法有效
| 申请号： | 201110330450.3 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102458043B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | A·梅耶尔;J·舒尔策-哈德 | 申请（专利权）人： | 库拉米克电子学有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/05 | 分类号： | H05K1/05;B32B15/04;H05K3/38;C04B37/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 赵培训 |
| 地址： | 德国埃*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 特别用于电路或模块的金属陶瓷基片包括至少一个第一外部金属层，该第一外部金属层形成金属陶瓷基片的第一表面侧，该金属陶瓷基片还包括至少一个第二外部金属层，该第二外部金属层形成金属陶瓷基片的第二表面侧，第一、第二外部金属层分别通过两维结合而与板形基片本体的表面侧结合。 | ||
| 搜索关键词： | 金属陶瓷 以及 用于 制造 这种 方法 | ||
【主权项】：
一种金属陶瓷基片，用于电路或模块，该金属陶瓷基片包括至少一个第一外部金属层(4)，该第一外部金属层(4)形成金属陶瓷基片(1、1a‑1f)的第一表面侧，该金属陶瓷基片还包括至少一个第二外部金属层(5)，该第二外部金属层(5)形成金属陶瓷基片(1、1a‑1f)的第二表面侧，所述第一外部金属层(4)和第二外部金属层(5)分别通过两维结合而与板状基片本体的表面侧结合，为了提高机械特性、热特性和电特性，所述板状基片本体包括至少两个陶瓷层(2)和至少一个中间层(3、3a‑3f)，该至少一个中间层(3、3a‑3f)布置在这些陶瓷层(2)之间，并使得陶瓷层(2)相互分离，所述中间层通过直接铜结合或活性钎焊而与陶瓷层(2)两维连接，所述中间层包括具有至少两个内部金属层(3.1、3.3)的多层式结构，其特征在于，所述中间层的所述内部金属层通过活性钎焊或硬钎焊或使用粘接剂来两维连接，至少形成所述中间层(3、3a‑3f)的金属层(3.1‑3.3)或该金属层的材料具有小于75的布氏硬度，该金属陶瓷基片的断裂强度大于单个陶瓷层的断裂强度，该单个陶瓷层的层厚等于由所述中间层(3、3a‑3f)所分离的所述至少两个陶瓷层(2)的层厚(d2)的总和，该金属陶瓷基片的耐电强度或绝缘强度为至少18kV/mm。
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