[发明专利]一种简易纳米级PSS衬底制备方法有效
| 申请号： | 201110330647.7 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102368518A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 周武;罗红波;张建宝;刘榕 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种简易纳米级PSS衬底制备方法，在蓝宝石衬底上沉积一层SiO2膜，在SiO2膜沉积一层ITO或ZnO，通过高温退火，使ITO或ZnO薄膜产生团聚现象，退火温度高低来改变SiO2膜上ITO或ZnO颗粒的尺寸及分布程度，用干法刻蚀掉未被ITO或ZnO颗粒挡住的SiO2膜，这样均匀的ITO或ZnO纳米颗粒图形转移到SiO2膜层，然后放入高温的硫酸与磷酸混合溶液中腐蚀或干法刻蚀，再一次将均匀纳米级的SiO2颗粒图形转移到蓝宝石衬底上，最后用HF酸去掉SiO2掩膜，从而形成纳米级PSS衬底。此发明可以改善LED芯片外量子效应，制作工艺简易、成本低、生产高效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 简易 纳米 pss 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种简易纳米级PSS衬底制备方法，制备步骤如下： (a) 蓝宝石衬底上沉积一层SiO2膜； (b) 在SiO2膜上沉积一层 ITO或ZnO；(c) 将步骤b沉积一层 ITO或ZnO的衬底放入退火炉中，进行退火，SiO2膜表面上生成均匀的ITO或ZnO晶粒；(d)在c步退火作用后，再干法刻蚀掉未能被ITO或ZnO颗粒挡住的SiO2膜, 将均匀的纳米状的ITO或ZnO颗粒图形转移到SiO2膜层，形成纳米状的SiO2颗粒；(e)在d步骤后再放入高温的硫酸与磷酸混合溶液中腐蚀掉未被SiO2颗粒挡住的蓝宝衬底；(f)在e步骤后用HF酸去掉SiO2掩膜，形成纳米级PSS衬底。
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