[发明专利]一种减小功率VDMOSFET导通电阻的方法无效
| 申请号： | 201110331186.5 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102361012A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 林康生;陈品霞 | 申请（专利权）人： | 博嘉圣（福州）微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350007 福建省福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种减小功率VDMOSFET导通电阻的方法，包括窗口扩散区长度Lw和多晶硅栅长度Lp的确定，其特征在于：首先，取得下式中Lw的较大值作为窗口扩散区长度，Lw=a+26+2c，Lw=a+6+1.6xjp，式中，a为光刻最小光刻线宽，b为套刻精度，c为多晶硅与引线孔最小间距，xjp为P一区结深；其次，根据确定的窗口扩散区长度Lw，在VDM0SFET的特征电阻尺随多晶硅栅长度大小的变化曲线上确认Lp的最佳值。通过本发明方法确定的窗口扩散区长度Lw和多晶硅栅长度Lp设计场效应管器件，能有效减小导通电阻，大大减小了产品的功率损耗，提高了产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 功率 vdmosfet 通电 方法 | ||
【主权项】：
一种减小功率VDMOSFET导通电阻的方法，包括窗口扩散区长度Lw和多晶硅栅长度Lp的确定，其特征在于：首先，取得式（1）和式（2）中Lw的较大值作为窗口扩散区长度， Lw=a+26+2c (1)Lw=a+6+1.6xjp (2)式中，a为光刻最小光刻线宽，b为套刻精度，c为多晶硅与引线孔最小间距，xjp为P一区结深；其次，根据确定的窗口扩散区长度Lw，在VDM0SFET的特征电阻尺随多晶硅栅长度大小的变化曲线上确认Lp的最佳值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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