[发明专利]一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110331342.8 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102347446A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;程丽敏;吴良才;饶峰;刘波;彭程 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料。本发明的用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料，其化学成分符合化学通式Nx[(Ge1+yTe)a(Sb2Te3)b]100-x，0＜y≤3，0＜x≤35，a=1或2，b=1或2。该相变材料为在外部能量作用下具有可逆相变的存储材料。采用磁控溅射时，通过控制各靶材靶位的电源功率和N2/Ar2流量比来调节各组分的原子百分含量，可得到不同结晶温度、熔点和结晶激活能的相变存储材料。本发明Ge-Sb-Te富Ge掺N的相变材料，相比于传统的Ge2Sb2Te5薄膜材料来说，具有较高的结晶温度，较好的数据保持力，较好的热稳定性，较低的功耗等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 相变 存储器 ge sb te 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于相变存储器的Ge‑Sb‑Te富Ge掺N相变材料，其化学成分符合化学通式Nx[(Ge1+yTe)a(Sb2Te3)b]100‑x，其中，0＜y≤3，0＜x≤35，a＝1或2，b＝1或2。
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