[发明专利]发光二极管晶片的切割方法有效

专利信息
申请号: 201110331893.4 申请日: 2011-10-26
公开(公告)号: CN102368521A 公开(公告)日: 2012-03-07
发明(设计)人: 杨文华 申请(专利权)人: 深圳市瑞丰光电子股份有限公司;宁波市瑞康光电有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 深圳市维邦知识产权事务所 44269 代理人: 黄莉
地址: 518000 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种发光二极管晶片的切割方法,其包括以下步骤:提供一个发光二极管晶片,所述发光二极管晶片包括基板、多个发光二极管晶粒及封装层,所述基板包括一个第一表面及一个与所述第一表面相对的第二表面,所述多个发光二极管晶粒贴设于所述基板的第一表面上,所述封装层覆盖于所述基板的第一表面上并覆盖所述多个发光二极管晶粒;及采用切割刀和激光分别切割所述发光二极管晶片的封装层和基板,将所述发光二极管晶片分割成多个发光二极管。所述发光二极管晶片的切割方法减小了切割刀的磨损速度,节省了成本,提高了切割效率,且最后得到的发光二极管具有很好的外观以及光效。
搜索关键词: 发光二极管 晶片 切割 方法
【主权项】:
一种发光二极管晶片的切割方法,其包括以下步骤:提供一个发光二极管晶片,所述发光二极管晶片包括基板、多个发光二极管晶粒及封装层,所述基板包括一个第一表面及一个与所述第一表面相对的第二表面,所述多个发光二极管晶粒贴设于所述基板的第一表面上,所述封装层覆盖于所述基板的第一表面上并覆盖所述多个发光二极管晶粒;及采用切割刀和激光分别切割所述发光二极管晶片的封装层和基板,将所述发光二极管晶片分割成多个发光二极管。
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