[发明专利]85Kr源的制备及回收工艺有效
申请号: | 201110332635.8 | 申请日: | 2011-10-28 |
公开(公告)号: | CN103093848A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 孙玉华;张红涛;李多宏;李士英;秦少鹏;平杰红 | 申请(专利权)人: | 原子高科股份有限公司 |
主分类号: | G21G4/04 | 分类号: | G21G4/04;G21F9/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 102413*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于放射性同位素技术领域,公开了85Kr源的制备及回收工艺。制备工艺包括以下步骤:(i)对85Kr源制备工艺的真空系统及源壳抽真空;(ii)向真空系统里充入85Kr气体;(iii)冷却源壳,85Kr气体进入源壳;(iv)将源壳封割、焊封、检漏。回收工艺包括以下步骤:(i)对废源进行检漏;(ii)对回收系统抽真空,将废源装入回收装置中并对回收装置进行抽真空;(iii)扎破源窗释放气体;(iv)冷却废源回收罐,85Kr气体回收至废源回收罐。该发明所提供的制备及回收工艺能够使制备的85Kr源体积小、活度高且废源回收彻底。 | ||
搜索关键词: | sup 85 kr 制备 回收 工艺 | ||
【主权项】:
85Kr源的制备工艺,其特征在于,该工艺包括以下步骤:(i)对85Kr源制备工艺的真空系统及源壳抽真空;(ii)向真空系统里充入85Kr气体;(iii)冷却源壳,85Kr气体进入源壳;(iv)将源壳封割、焊封、检漏。
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