[发明专利]光栅的制备方法

摘要

本发明提供一种光栅的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在基底表面形成一图形化的掩模层；将该形成有掩模层的基底放入一反应性等离子体系统中，通入刻蚀气体对基底进行刻蚀，刻蚀过程分为三个阶段：第一刻蚀阶段，刻蚀气体的成分为四氟化碳和氩气，四氟化碳和氩气同时通入；第二刻蚀阶段，刻蚀气体的成分改变为四氟化碳、六氟化硫以及氩气，且四氟化碳、六氟化硫以及氩气同时通入，六氟化硫的体积流量大于四氟化碳的体积流量；第三刻蚀阶段，继续同时通入四氟化碳、六氟化硫以及氩气，其中四氟化碳的体积流量大于六氟化硫的体积流量；以及去除掩模层，得到一光栅。本发明制备得到高密度、高深宽比的亚波长衍射光栅。

主权项

一种光栅的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在基底表面形成一图形化的掩模层；将该形成有掩模层的基底放入一反应性等离子体系统中，通入刻蚀气体对基底进行刻蚀，刻蚀过程分为三个阶段：第一刻蚀阶段，刻蚀气体的成分为四氟化碳和氩气，四氟化碳和氩气同时通入，四氟化碳和氩气的总体积流量为40sccm至120sccm，四氟化碳的体积流量的范围为10sccm至100sccm，氩气的体积流量的范围为1sccm至30sccm；第二刻蚀阶段，刻蚀气体的成分改变为四氟化碳、六氟化硫以及氩气，且四氟化碳、六氟化硫以及氩气同时通入，其中，刻蚀气体的等离子体的总体积流量的范围为40sccm至120sccm，其中，六氟化硫的体积流量大于四氟化碳的体积流量；第三刻蚀阶段，继续同时通入四氟化碳、六氟化硫以及氩气，其中四氟化碳的体积流量大于六氟化硫的体积流量，四氟化碳的体积流量的范围为20sccm至80sccm，六氟化硫的体积流量的范围为5sccm至50sccm，氩气的体积流量为5sccm至40sccm；以及去除掩模层，得到一光栅。