[发明专利]用于形成自对准通孔的T形金属硬掩膜有效
| 申请号： | 201110334644.0 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103094181A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王新鹏;王冬江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于形成自对准通孔的T形金属硬掩膜的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有绝缘层；在所述绝缘层上依次沉积第一金属硬掩膜层和第二金属硬掩膜层，所述第一金属硬掩膜层的被蚀刻率大于所述第二金属硬掩膜层的被蚀刻率；蚀刻所述第二金属硬掩膜层和所述第一金属硬掩膜层，以形成所述T形金属硬掩膜。根据本发明，在形成用于填充互连金属的通孔时，蚀刻所述金属硬掩膜层之后，所留下的所述金属硬掩膜层呈T型，从而可以更好地控制后续自对准通孔的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 对准 金属 硬掩膜 | ||
【主权项】：
一种用于形成自对准通孔的T形金属硬掩膜的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有绝缘层；在所述绝缘层上依次沉积第一金属硬掩膜层和第二金属硬掩膜层，所述第一金属硬掩膜层的被蚀刻率大于所述第二金属硬掩膜层的被蚀刻率；蚀刻所述第二金属硬掩膜层和所述第一金属硬掩膜层，以形成所述T形金属硬掩膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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