[发明专利]多晶硅还原系统及其还原气体原料的进料方式有效
| 申请号： | 201110335075.1 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102502647A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 齐林喜;刘占卿 | 申请（专利权）人： | 内蒙古盾安光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 张群峰;范晓斌 |
| 地址： | 015543 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 多晶硅还原系统及其还原气体原料的进料方式。该多晶硅还原系统包括：鼓泡式汽化器；氢气加热器；分别与鼓泡式汽化器和氢气加热器相连的多个静态混合器；以及分别与相应的静态混合器相连的多个多晶硅还原炉。本发明利用氢气在三氯氢硅液体中鼓泡，同时外部热源加热，使得三氯氢硅汽化，通过氢气鼓泡加速三氯氢硅的蒸发，最终得到三氯氢硅和氢气的混合气。通过控制鼓泡式汽化器的压力和温度，将鼓泡式汽化器混合气出气控制在一个较低的配比；再由侧路氢气通过氢气加热器加热后与鼓泡式汽化器混合气出气在静态混合器中充分混合至较高预定配比后直接进入相应的还原炉。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 还原 系统 及其 气体 原料 进料 方式 | ||
【主权项】：
一种为至少两个多晶硅还原炉分别直接提供多晶硅还原气体原料的方法，包括：利用氢气在三氯氢硅液体中鼓泡并同时进行外部加热使三氯氢硅液体汽化而得到氢气和三氯氢硅的摩尔比为固定值的混合气体；将所述混合气体分为第一路混合气体和第二路混合气体；另外提供氢气并将其加热后分为第一路加热氢气和第二路加热氢气；将第一路加热氢气与第一路混合气体混合得到氢气和三氯氢硅的摩尔比为第一预定值的多晶硅还原气体原料后直接通入第一多晶硅还原炉；以及将第二路加热氢气与第二路混合气体混合得到氢气和三氯氢硅的摩尔比为第二预定值的多晶硅还原气体原料后直接通入第二多晶硅还原炉；其中所述固定值小于所述第一预定值以及所述第二预定值。
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