[发明专利]太阳能电池的制造方法无效

专利信息
申请号: 201110335105.9 申请日: 2011-10-26
公开(公告)号: CN102403402A 公开(公告)日: 2012-04-04
发明(设计)人: 邱铭晖;杨士贤;胡雁程;陈钰君;陈宗保;王冠程;陈人杰;吴振诚 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;鲍俊萍
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种太阳能电池的制造方法。提供一第一型基底,其具有一第一表面与一第二表面。使用一第一掺质对第一型基底的第一表面进行一第一掺杂工艺,以形成一第一型淡掺杂层。使用一第二掺质对部分第一型淡掺杂层进行一第二掺杂工艺,以形成一第二型重掺杂区,其中第二掺质的原子量大于第一掺质的原子量,第一掺杂工艺的温度高于第二掺杂工艺的温度。于第二型重掺杂区上形成一第一电极。于第一型基底的第二表面上形成一第二电极。本发明的方法能于淡掺杂层中清楚地定义深度较浅的重掺杂区,使得作为选择性射极的重掺杂区能对电极提供良好的欧姆接触,进而有效地提升太阳能电池中的再结合效率,使得太阳能电池具有较佳的效率。
搜索关键词: 太阳能电池 制造 方法
【主权项】:
一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:提供一第一型基底,其具有一第一表面与一第二表面;使用一第一掺质对该第一型基底的该第一表面进行一第一掺杂工艺,以形成一第一型淡掺杂层;使用一第二掺质对部分该第一型淡掺杂层进行一第二掺杂工艺,以形成一第二型重掺杂区,其中该第二掺质的原子量大于该第一掺质的原子量,该第一掺杂工艺的温度高于该第二掺杂工艺的温度;于该第二型重掺杂区上形成一第一电极;以及于该第一型基底的该第二表面上形成一第二电极。
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