[发明专利]太阳能电池的制造方法无效
申请号: | 201110335105.9 | 申请日: | 2011-10-26 |
公开(公告)号: | CN102403402A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 邱铭晖;杨士贤;胡雁程;陈钰君;陈宗保;王冠程;陈人杰;吴振诚 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池的制造方法。提供一第一型基底,其具有一第一表面与一第二表面。使用一第一掺质对第一型基底的第一表面进行一第一掺杂工艺,以形成一第一型淡掺杂层。使用一第二掺质对部分第一型淡掺杂层进行一第二掺杂工艺,以形成一第二型重掺杂区,其中第二掺质的原子量大于第一掺质的原子量,第一掺杂工艺的温度高于第二掺杂工艺的温度。于第二型重掺杂区上形成一第一电极。于第一型基底的第二表面上形成一第二电极。本发明的方法能于淡掺杂层中清楚地定义深度较浅的重掺杂区,使得作为选择性射极的重掺杂区能对电极提供良好的欧姆接触,进而有效地提升太阳能电池中的再结合效率,使得太阳能电池具有较佳的效率。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:提供一第一型基底,其具有一第一表面与一第二表面;使用一第一掺质对该第一型基底的该第一表面进行一第一掺杂工艺,以形成一第一型淡掺杂层;使用一第二掺质对部分该第一型淡掺杂层进行一第二掺杂工艺,以形成一第二型重掺杂区,其中该第二掺质的原子量大于该第一掺质的原子量,该第一掺杂工艺的温度高于该第二掺杂工艺的温度;于该第二型重掺杂区上形成一第一电极;以及于该第一型基底的该第二表面上形成一第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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