[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110335122.2 | 申请日： | 2011-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102403365A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 陈嘉祥;洪铭钦;涂峻豪;林威廷;张钧杰 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管包括一基板、一栅极、一栅绝缘层、一源极与一漏极、一通道层、一第一图案化保护层以及一第二图案化保护层。栅极配置于基板上。栅绝缘层配置于栅极上。源极与漏极配置于栅绝缘层上。通道层位于源极与漏极上方或下方，其中通道层的一部分暴露于源极与漏极之间。第一图案化保护层配置于通道层的部分上，其中第一图案化保护层的材料包括一金属氧化物，且第一图案化保护层的厚度为50埃至300埃。第二图案化保护层覆盖第一图案化保护层、栅绝缘层以及源极与漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一基板；一栅极，配置于该基板上；一栅绝缘层，配置于该栅极上；一源极与一漏极，配置于该栅绝缘层上；一通道层，位于该源极与该漏极上方或下方，其中该通道层的一部分暴露于该源极与该漏极之间；以及一第一图案化保护层，配置于该通道层的该部分上，其中该第一图案化保护层的材料包括一金属氧化物，且该第一图案化保护层的厚度为50埃至300埃。
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