[发明专利]PECVD法制备双面异质结太阳能电池的团簇式设备和工艺有效
申请号: | 201110335191.3 | 申请日: | 2011-10-28 |
公开(公告)号: | CN103094402A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 郭群超;王凌云;柳琴;张愿成;张滢清;李红波 | 申请(专利权)人: | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C16/44 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 杨元焱 |
地址: | 200241 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种PECVD法制备双面异质结太阳能电池的团簇式设备,包括沉积腔室,该沉积腔室包括团簇式设置的进出片室、预热和中央传送室、本征层沉积室、p型沉积室和n型沉积室。一种PECVD法制备双面异质结太阳能电池的工艺,采用PECVD法制备双面异质结太阳能电池的团簇式设备实施,能在同一腔室中完成对硅片的正、反两面的本征层沉积。本发明PECVD法制备双面异质结太阳能电池的团簇式设备和工艺既能够省去硅片翻转的工序,节省设备制造成本和生产时间,又能够很好的实现硅片正反两面的沉积。 | ||
搜索关键词: | pecvd 法制 双面 异质结 太阳能电池 团簇式 设备 工艺 | ||
【主权项】:
一种PECVD法制备双面异质结太阳能电池的团簇式设备,包括沉积腔室、硅片承载架、气路控制系统、电控系统及真空机组,沉积腔室分别与气路控制系统、电控系统及真空机组连接,电控系统与气路控制系统连接;硅片承载架用于承载硅片进出沉积腔室;其特征在于:所述的沉积腔室包括团簇式设置的进出片室、预热和中央传送室、本征层沉积室、p型沉积室和n型沉积室,预热和中央传送室设置在中间,进出片室、本征层沉积室、p型沉积室和n型沉积室分别连接在预热和中央传送室的四周;在本征层沉积室、p型沉积室和n型沉积室内分别设有上电极和下电极;在本征层沉积室的上电极和下电极上分别连接有进气口;在p型沉积室的上电极上连接有进气口;在n型沉积室的下电极上连接有进气口;在预热和中央传送室内设有机械手传送机构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的