[发明专利]PECVD法制备双面异质结太阳能电池的团簇式设备和工艺有效

专利信息
申请号: 201110335191.3 申请日: 2011-10-28
公开(公告)号: CN103094402A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 郭群超;王凌云;柳琴;张愿成;张滢清;李红波 申请(专利权)人: 上海太阳能工程技术研究中心有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;C23C16/44
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 杨元焱
地址: 200241 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种PECVD法制备双面异质结太阳能电池的团簇式设备,包括沉积腔室,该沉积腔室包括团簇式设置的进出片室、预热和中央传送室、本征层沉积室、p型沉积室和n型沉积室。一种PECVD法制备双面异质结太阳能电池的工艺,采用PECVD法制备双面异质结太阳能电池的团簇式设备实施,能在同一腔室中完成对硅片的正、反两面的本征层沉积。本发明PECVD法制备双面异质结太阳能电池的团簇式设备和工艺既能够省去硅片翻转的工序,节省设备制造成本和生产时间,又能够很好的实现硅片正反两面的沉积。
搜索关键词: pecvd 法制 双面 异质结 太阳能电池 团簇式 设备 工艺
【主权项】:
一种PECVD法制备双面异质结太阳能电池的团簇式设备,包括沉积腔室、硅片承载架、气路控制系统、电控系统及真空机组,沉积腔室分别与气路控制系统、电控系统及真空机组连接,电控系统与气路控制系统连接;硅片承载架用于承载硅片进出沉积腔室;其特征在于:所述的沉积腔室包括团簇式设置的进出片室、预热和中央传送室、本征层沉积室、p型沉积室和n型沉积室,预热和中央传送室设置在中间,进出片室、本征层沉积室、p型沉积室和n型沉积室分别连接在预热和中央传送室的四周;在本征层沉积室、p型沉积室和n型沉积室内分别设有上电极和下电极;在本征层沉积室的上电极和下电极上分别连接有进气口;在p型沉积室的上电极上连接有进气口;在n型沉积室的下电极上连接有进气口;在预热和中央传送室内设有机械手传送机构。
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