[发明专利]一种闪速存储器形成方法

摘要

一种闪速存储器形成方法，包括：形成存储单元和外围电路，所述外围电路包括电阻器，所述存储单元和电阻器同步形成。本发明的实施例在形成存储单元时，同步形成电阻器，从而减小了工艺难度，提高了工艺效率。

主权项

一种闪速存储器形成方法，包括形成存储单元和外围电路，所述外围电路包括电阻器，其特征在于，所述存储单元和电阻器的形成步骤包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括存储单元区域和电阻器区域，所述半导体衬底表面依次形成有第一介质层和第一多晶硅层；在所述半导体衬底内形成位于存储单元区域，且贯穿所述第一介质层和第一多晶硅层的第一隔离结构，位于电阻器区域，且贯穿第一介质层和第一多晶硅层的第二隔离结构；在所述第一隔离结构、第二隔离结构、以及第一多晶硅层表面依次形成第二介质层和第二多晶硅层；刻蚀所述第二多晶硅层，在存储区域形成控制栅多晶硅层，在电阻器区域形成电阻器。