[发明专利]MEMS垂直梳齿微镜面驱动器的制作方法有效
申请号: | 201110335464.4 | 申请日: | 2011-10-28 |
公开(公告)号: | CN103086316A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 李四华;吴亚明;徐静 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种MEMS垂直梳齿微镜面驱动器的制作方法,包括:提供具有双层硅器件层的SOI硅结构;在第一衬底层的表面制作第一划片图形;去除第二衬底层;在第二埋层氧化层上制作双层掩膜;利用双层掩膜,制作出高梳齿结构、低梳齿结构以及微镜面结构;将双抛硅片与SOI硅结构进行硅硅键合;在双抛硅片的表面制作第二划片图形;去除第一衬底层并显露出第一埋层氧化层;以第一埋层氧化层作为掩膜,刻蚀第一硅器件层,释放可动梳齿结构、可动微镜面结构和固定梳齿结构;去除第一埋层氧化层;在微镜面区域和引线区域形成薄膜金属层。相较于现有技术,本发明技术方案能制作出具有自对准高低梳齿结构的垂直梳齿微镜面驱动器,具有制作简单和成品率高的优点。 | ||
搜索关键词: | mems 垂直 梳齿 微镜面 驱动器 制作方法 | ||
【主权项】:
一种MEMS垂直梳齿微镜面驱动器的制作方法,其特征在于,包括:提供具有双层硅器件层的SOI硅结构,包括第一衬底层、第一埋层氧化层、第一硅器件层、中间绝缘层、第二硅器件层、第二埋层氧化层、以及第二衬底层;在所述第一衬底层的表面制作具有对准标记的第一划片图形;去除所述第二衬底层直至显露出所述第二埋层氧化层;在所述第二埋层氧化层上制作包括所述第二埋层氧化层在内、厚度不等的双层掩膜,图形化所述双层掩膜显露出第二硅器件层;利用所述双层掩膜,采用刻蚀工艺制作出高梳齿结构、低梳齿结构以及微镜面结构;提供具有第三衬底层的双抛硅片,将所述双抛硅片与所述SOI硅结构进行硅硅键合,所述双抛硅片的键合面具有作为垂直梳齿结构的释放空间;在所述双抛硅片的远离所述键合面的第三衬底层的表面制作具有对准标记的第二划片图形;去除所述SOI硅结构上的所述第一衬底层并显露出所述第一埋层氧化层;图形化所述第一埋层氧化层;以图形化后的所述第一埋层氧化层作为掩膜,刻蚀显露出的所述第一硅器件层并显露出位于所述第一硅器件层之下的所述中间绝缘层,释放可动梳齿结构、可动微镜面结构和固定梳齿结构,并显露出固定梳齿结构的引线区域;去除所述第一埋层氧化层和显露的所述引线区域处的中间绝缘层;在所述微镜面区域和所述引线区域形成薄膜金属层。
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