[发明专利]一种超材料介质基板及其加工方法有效
| 申请号： | 201110335512.X | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103085372A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;赵治亚;缪锡根;安娜·玛丽亚·劳拉·博卡内格拉;林云燕;易显钦 | 申请（专利权）人： | 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | B32B9/04 | 分类号： | B32B9/04;B32B18/00;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超材料介质基板及其加工方法，包括以下步骤，111.将纳米碳化硅粉末、溶剂、表面活性剂混合后研磨成细小颗粒，用超声波洗涤、干燥；112.利用热等静压工艺将细小颗粒烧结成纳米碳化硅陶瓷层；12.将上述纳米碳化硅陶瓷层、石墨粉末、石墨烯层利用热等静压工艺制成超材料的介质基板。应用本发明的加工方法，可以大大提高超材料介质基板的热导率，增强介质基板的硬度，减小介质基板的热膨胀系数。制成的介质基板导热性能良好，硬度较强，耐热性较好。另外，在制备纳米碳化硅陶瓷的过程中掺入硼作为添加剂，明显降低了纳米碳化硅陶瓷的整体烧结温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 材料 介质 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种超材料介质基板，包括纳米碳化硅陶瓷层、石墨粉末和石墨烯层，所述纳米碳化硅陶瓷层中硼的质量比为0.1％‑10％，碳的质量比为0.1％‑3.5％，所述石墨粉末的质量比为40％‑60％。
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