[发明专利]一种纳米晶存储器及其制作方法无效
| 申请号： | 201110335530.8 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103094355A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘明;王晨杰;霍宗亮;张满红;刘璟;谢常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米晶存储器，包括半导体衬底、位于衬底上的栅堆叠介质层和位于栅堆叠介质层上的栅极层，位于栅堆叠介质层两侧衬底上的源漏区，其中，所述栅堆叠介质层依次包括电荷隧穿层、介质缓冲层、电荷存储层和电荷阻挡层，其中，所述介质缓冲层的材料介电常数高于电荷隧穿层的材料介电常数，所述电荷存储层为纳米晶材料。相应地，还提供一种纳米晶存储器的制作方法。本发明的纳米晶存储器在电荷隧穿层和纳米晶电荷存储层之间插入高介电常数的介质缓冲层，降低了电子注入电荷存储层所需穿过的能量势垒的高度，从而提高了纳米晶存储器的存取速度和电荷注入电荷存储层的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种纳米晶存储器，包括半导体衬底、位于衬底上的栅堆叠介质层和位于栅堆叠介质层上的栅极层，位于栅堆叠介质层两侧衬底上的源漏区，其特征在于，所述栅堆叠介质层包括：位于半导体衬底上的电荷隧穿层；位于电荷隧穿层上的介质缓冲层，所述介质缓冲层材料的介电常数高于所述电荷隧穿层材料的介电常数；位于所述介质缓冲层上的电荷存储层，所述电荷存储层采用纳米晶材料；位于所述电荷存储层上的电荷阻挡层。
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