[发明专利]MOS晶体管的栅极电压-1/f噪声曲线测量方法有效
| 申请号： | 201110335639.1 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102435817A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 路向党 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MOS晶体管的栅极电压-1/f噪声曲线测量方法，包括：提供待检测的MOS晶体管；测量在指定栅极电压区间内的MOS晶体管栅极电压-漏极电流的变化曲线；将所述栅极电压区间划分成至少2个分区间，比较分区间的漏极电流的变化趋势，在各个分区间内选取多个栅极电压值，且漏极电流的变化趋势大的分区间内选取的栅极电压值数量大于漏极电流的变化趋势小的分区间内选取的栅极电压值数量；测量选取的栅极电压值对应的1/f噪声，根据获得的1/f噪声获得在对应栅极电压区间的栅极电压-1/f噪声曲线。通过测量不同栅极电压下漏极电流的变化趋势，并根据漏极电流的变化趋势选取若干栅极电压，可减少测量1/f噪声次数，减少测试时间。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 栅极 电压 噪声 曲线 测量方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管的栅极电压‑1/f噪声曲线测量方法，其特征在于，包括：提供待检测的MOS晶体管；测量在指定栅极电压区间内的MOS晶体管栅极电压‑漏极电流的变化曲线；将所述栅极电压区间划分成至少2个分区间，比较分区间的漏极电流的变化趋势，在各个分区间内选取多个栅极电压值，且漏极电流的变化趋势大的分区间内选取的栅极电压值数量大于漏极电流的变化趋势小的分区间内选取的栅极电压值数量；测量选取的栅极电压值对应的1/f噪声，根据获得的1/f噪声获得在对应栅极电压区间的栅极电压‑1/f噪声曲线。
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