[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种制造半导体器件的方法，包括：提供其上形成有第一伪栅极、第一填充开口以及包围第一伪栅极和第一填充开口的层间介电层的半导体衬底；在第一伪栅极和层间介电层上以及第一填充开口内依次形成第一功函数层和第一牺牲层；执行化学机械研磨工艺；去除第一伪栅极以形成第二填充开口；执行第一清洗工艺；在第二填充开口内以及层间介电层、第一功函数层和第一牺牲层上依次形成第二功函数层和第二牺牲层；执行化学机械研磨工艺；去除第一牺牲层和第二牺牲层，以分别形成第一凹槽和第二凹槽；以及在第一凹槽和第二凹槽内形成金属层。本发明的方法通过使用牺牲层来避免清洗步骤对金属栅极的损坏，以避免半导体器件失效。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一伪栅极、第一填充开口以及包围所述第一伪栅极和所述第一填充开口的层间介电层；b）在所述第一伪栅极和所述层间介电层上以及所述第一填充开口内依次形成第一功函数层和第一牺牲层；c）执行化学机械研磨工艺以去除所述第一填充开口以外的所述第一功函数层和所述第一牺牲层；d）去除所述第一伪栅极以形成第二填充开口；e）执行第一清洗工艺； f）在所述第二填充开口内以及所述层间介电层、所述第一功函数层和所述第一牺牲层上依次形成第二功函数层和第二牺牲层；g）执行化学机械研磨工艺以去除所述第二填充开口以外的所述第二功函数层和所述第二牺牲层；h）去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，以分别形成第一凹槽和第二凹槽；以及i）在所述第一凹槽和所述第二凹槽内形成金属层。