[发明专利]同轴硅通孔互连结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110336535.2 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102412228A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 赫然;王惠娟;于大全 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/552;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子封装技术领域，具体涉及一种同轴硅通孔互连结构。所述互连结构，包括：硅基片；硅通孔，贯穿硅基片；重掺杂层，位于硅通孔的侧壁；外导电连接构件，被重掺杂层围绕；至少一层绝缘层，被外导电连接构件围绕；至少一层内导电连接构件，被绝缘层围绕，与外导电连接构件形成同轴结构。本发明还提供一种同轴硅通孔互连结构的制造方法。本发明可用于增强硅通孔的鲁棒性，可以隔离噪声，消除串扰，屏蔽EMI，减小传输损耗，消弱硅通孔寄生效应，可改善高频性能；同时便于测量绝缘层特性，不需额外制造测量结构，只需测量外导电连接构件和内导电连接构件之间的绝缘特性即可得到绝缘层特性。 | ||
| 搜索关键词： | 同轴 硅通孔 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种同轴硅通孔互连结构，其特征在于，包括：硅基片；硅通孔，贯穿所述硅基片；重掺杂层，位于所述硅通孔的侧壁；外导电连接构件，被所述重掺杂层围绕；至少一层绝缘层，被所述外导电连接构件围绕；至少一层内导电连接构件，被所述绝缘层围绕，与所述外导电连接构件形成同轴结构。
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