[发明专利]硅晶铸锭的制法以及硅晶铸锭有效
| 申请号： | 201110336713.1 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103088405A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 蓝文杰;刘泳呈;余文怀;许松林;徐文庆;蓝崇文 | 申请（专利权）人： | 昆山中辰矽晶有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人： | 盛建德 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅晶铸锭的制法以及硅晶铸锭，是利用一硅晶种层并基于一方向性凝固制程，来制造硅晶铸锭，其中，所述硅晶种层硅是由多个主要单晶硅晶种以及多个次要单晶硅晶种所构成，每一主要单晶硅晶种具有非[100]的第一晶向，每一个次要单晶硅晶种具有非所述第一晶向的一第二晶向，每一主要单晶硅晶种紧邻至少一个次要单晶硅晶种并与其他主要单晶硅晶种隔开，本发明无须将两相邻单晶硅晶种的边界接合，也能抑制两相邻单晶硅晶种的边界在硅晶铸锭制造过程中发展成有害缺陷，且制得的硅晶铸锭整体有较佳的晶体质量，后续制成的太阳能电池的光电转换效率也较高。 | ||
| 搜索关键词： | 铸锭 制法 以及 | ||
【主权项】：
一种硅晶铸锭的制法，其特征在于，按下述步骤进行：①、装一硅晶种层至一模内，所述硅晶种层是由若干个主要单晶硅晶种以及若干个次要单晶硅晶种所构成，每一主要单晶硅晶种具有一第一晶向，每一个次要单晶硅晶种具有一第二晶向，所述第一晶向不等于晶向[100]，所述第二晶向不等于所述第一晶向，且所述第一晶向与所述第二晶向之间的夹角不小于35度，每一主要单晶硅晶种紧邻至少一个次要单晶硅晶种，且每一主要单晶硅晶种与其他主要单晶硅晶种隔开；②、装一硅熔汤至所述模内，以使所述硅熔汤与所述硅晶种层接触；③、基于一方向性凝固制程冷却所述模，造成所述硅熔汤凝固，以形成包含所述硅晶种层的硅晶铸锭。
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