[发明专利]去合金法制备多孔氮化铝或氮化镓薄片或薄带的方法无效

专利信息
申请号: 201110336903.3 申请日: 2011-10-31
公开(公告)号: CN102502537A 公开(公告)日: 2012-06-20
发明(设计)人: 颜国君;王洋;曹树鹏;韩文静;郗丹;韩庆;王东 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: C01B21/072 分类号: C01B21/072;C01B21/06;B81C1/00
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 李娜
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种去合金法制备多孔氮化铝或氮化镓薄片或薄带的方法,将Al锭或镓液,与Mg块、Li块或Ca块以任意种类及任意比例组成的混合物一同放入坩埚,熔炼成合金,然后将合金熔体制成合金薄带或薄片,再把合金薄带或薄片放入反应炉中,抽真空后在一定氮气压力下加热合金薄带或薄片并保温氮化;再把氮化结束的合金薄带或薄片用酸浸泡,去除Mg、Li或Ca的氮化物,从而留下孔洞,进而获得了多孔的氮化物结构,抽滤后并干燥后即得多孔AlN或多孔GaN薄带或薄片。解决了现有技术无法有效地合成出多孔AlN或GaN薄带或薄片,或制备出的多孔AlN或GaN薄带或薄片孔比表面积小、孔占有空间小,无法在实际中得到应用的问题。
搜索关键词: 合金 法制 多孔 氮化 薄片 方法
【主权项】:
一种去合金法制备多孔氮化铝或氮化镓薄片或薄带的方法,其特征在于,包括以下操作步骤:步骤1,原料称取:原料由A组份和B组份组成;A组份占整个原料的重量百分比为10~90%wt,其余为B组分;A组份为纯度不小于99%wt的Al锭或镓液;B组份为纯度不小于99%wtMg块、纯度不小于98%wtLi块或纯度不小于98%wt的Ca块中的一种,或任意两种或三种以任意比例组成的混合物;步骤2,合金的熔炼和配制:按照所需得到的合金中各金属的含量要求配制步骤1称取的B组分各金属的含量,然后将A组分与B组分放入坩埚,然后连同坩埚一起放入加热炉中,熔炼成相应的合金;步骤3,合金薄带或薄片的制备:把步骤2熔炼获得的合金熔体在甩带机或热轧机上制成合金薄带或薄片;步骤4,合金薄带或薄片的氮化:把步骤4制成的合金薄带或薄片放入反应炉中,对反应炉抽真空,然后对反应炉充入氮气,当反应炉内的氮气压力达到一定压力以后,维持炉内的氮气压力不变,然后利用加热炉加热合金薄带或薄片到600~950℃保温氮化;步骤5,去合金化把氮化结束的合金薄带或薄片,用酸浸泡,去除合金中B组分的氮化物,留下A组分的氮化物,在薄带或薄片的B组分氮化物位置留下孔洞,从而获得了多孔A组分的氮化物结构,抽滤后即得到多孔的AlN或多孔的GaN薄带或薄片;步骤6,干燥:把步骤5制得的多孔AlN或多孔GaN薄带或薄片在干燥箱中于80~200℃干燥1~4小时即完成。
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