[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及半导体器件。为了提供其中的外围区具有高击穿电压以及高抗感生表面电荷鲁棒性的半导体器件，使用大规模生产率的工序制造该半导体器件。一种半导体器件，其中，在垂直于具有高杂质浓度的n型半导体衬底的一个主面的方向上沉积的层状的n型漂移区和p型部区在沿着该一个主面的方向上形成交替相邻的平行pn层作为漂移层，以及有电流流动的有源区和包围有源区的外围区包括：平行pn层，其中p型部区具有浓度从表面向衬底侧减小的杂质浓度分布；n型表面区，其置于外围区中的平行pn层上；p型保护环，其相互分隔开地置于n型表面区上；以及导电场板，其位于p型保护环的内圆周侧和外圆周侧上并且电连接。

主权项

一种半导体器件，其特征在于沿着垂直于具有高杂质浓度的第一导电型半导体衬底的一个主面的方向上沉积的柱状或层状的第一导电型半导体区和第二导电型半导体区在沿着所述主面的方向上形成交替相邻的平行pn层作为漂移层，其中所述平行pn层配置成在“导通”状态中使电流流动而在“截止”状态中维持击穿电压，且有电流流动的有源区和包围所述有源区并维持击穿电压的外围区包括所述平行pn层，所述器件包括：平行pn层，其中所述平行pn层的所述第二导电型半导体区具有杂质浓度从所述pn层的表面向所述半导体衬底侧减小的杂质浓度分布；第一导电型表面区，其置于所述外围区中的所述平行pn层上；两个或更多个第二导电型保护环，其相互分隔开地置于所述第一导电型表面区上；以及导电场板，其置于所述保护环的内圆周侧和外圆周侧的每一侧上，并电连接至所述保护环中的每一个环的所述表面。