[发明专利]NMOS形成方法、CMOS形成方法有效
| 申请号： | 201110338452.7 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103094113A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;平延磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种NMOS形成方法及CMOS形成方法，其中NMOS形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有栅介质层和栅多晶硅层；所述半导体衬底表面、栅介质层和栅多晶硅层的两侧形成有侧墙；在半导体衬底表面形成金属层，所述金属层覆盖侧墙、栅多晶硅层；在所述金属层表面形成覆盖层；采用退火工艺在所述栅多晶硅层内形成金属硅化物层；去除覆盖层、未反应的金属层；对所述金属硅化物层进行退火。本发明实施例的NMOS形成方法及CMOS形成方法形成的产品质量优良。 | ||
| 搜索关键词： | nmos 形成 方法 cmos | ||
【主权项】：
一种NMOS形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有栅介质层和栅多晶硅层，所述半导体衬底表面、栅介质层和栅多晶硅层的两侧形成有侧墙；在半导体衬底表面形成金属层，所述金属层覆盖侧墙、栅多晶硅层；在所述金属层表面形成覆盖层；采用退火工艺在所述栅多晶硅层内形成金属硅化物层；去除覆盖层、未反应的金属层之后，对所述金属硅化物层进行退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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