[发明专利]硅通孔测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201110338896.0 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103094252A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L23/48;G01B7/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅通孔测试结构及测试方法，所述硅通孔测试结构包括：硅衬底，贯穿所述硅衬底的硅通孔；围绕着所述硅通孔排列的若干MOS晶体管，所述MOS晶体管围绕所述硅通孔的圆心围成若干个同心圆环。由于所述硅通孔测试结构的MOS晶体管围成若干个同心圆环，将不同圆环上的MOS晶体管与周围未形成有硅通孔的MOS晶体管的电学参数进行比较，获得硅通孔周围没有通孔应力影响的隔离区的半径，测量精准灵敏且方便快捷。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种硅通孔测试结构，其特征在于，包括：硅衬底，贯穿所述硅衬底的硅通孔；围绕着所述硅通孔排列的若干MOS晶体管，所述MOS晶体管围绕所述硅通孔的圆心围成若干个同心圆环。
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