[发明专利]钽酸钠薄膜紫外光探测器及其制备方法无效
申请号: | 201110339162.4 | 申请日: | 2011-11-01 |
公开(公告)号: | CN102368508A | 公开(公告)日: | 2012-03-07 |
发明(设计)人: | 阮圣平;张敏;张海峰;刘彩霞;冯彩慧;周敬然;陈维友 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/18;C23C22/64;C23C14/35;C23C14/18 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 张景林;刘喜生 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明属于半导体光电探测技术领域,具体涉及一种以NaTaO3薄膜为基体材料,以Au、Pt或Ni为金属电极的NaTaO3薄膜紫外光探测器及其制备方法。其是在金属钽片上生长一层NaTaO3薄膜,进而通过磁控溅射技术在覆盖有掩膜板的NaTaO3薄膜上溅射一层金属,掩膜板上具有插指电极结构,据此在薄膜上形成金属插指状电极;本发明制备的NaTaO3薄膜紫外光探测器具有制备方法简单,成本低廉,有望大规模生产的特点,对波长220nm-330nm的紫外线具有良好的检测性能。 | ||
搜索关键词: | 钽酸钠 薄膜 紫外光 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种采用水热合成法制备的NaTaO3薄膜紫外光探测器,其特征在于:从下至上依次由金属钽片(1)衬底,采用水热合成法在金属钽片上生长的NaTaO3薄膜(2),在NaTaO3薄膜上采用磁控溅射法制备的Au、Pt或Ni金属插指电极(3)组成,待探测的紫外光(4)从金属插指电极(3)的上方入射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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