[发明专利]用于半导体晶圆处理的高效率静电夹盘组件无效

专利信息
申请号: 201110339410.5 申请日: 2011-10-28
公开(公告)号: CN102543813A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 阿施施·布特那格尔;莫妮卡·阿格沃;帕德玛·戈帕拉克里氏南;丹尼尔·马丁 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/67
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 王安武
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及用于半导体晶圆处理的高效率静电夹盘组件,大体上提供了高效率的静电夹盘,该夹盘包括挠性堆叠件,该挠性堆叠件具有设置于介电材料的两个层之间的电极。这些层中的至少一个层是标准的或高纯度的热塑性膜。该挠性堆叠件可以在基板支撑表面上具有毛面修整以提供诸如在该夹盘的整个表面上改善的温度分布的优点。该挠性堆叠件的非基板支撑侧或底座容纳侧可以受到等离子体处理,该等离子体处理提供所要的表面修整,随后用丙烯酸或环氧树脂黏接剂将该挠性堆叠件接合至底座,从而产生与传统的聚合物静电夹盘相比而更为优越的接合强度。该电极可以是释放衬垫上的薄片电极,该薄片电极实现了制造的便利。
搜索关键词: 用于 半导体 处理 高效率 静电 组件
【主权项】:
一种静电夹盘组件,包括:挠性堆叠件,该挠性堆叠件包括:第一介电层,该第一介电层包括聚芳醚酮,具有基板支撑表面;第二介电层,该第二介电层具有接合表面,该第一介电层接合至该第二介电层;以及预成型薄片电极,该预成型薄片电极设置于该第一介电层与该第二介电层之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110339410.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code