[发明专利]用于半导体晶圆处理的高效率静电夹盘组件无效
申请号: | 201110339410.5 | 申请日: | 2011-10-28 |
公开(公告)号: | CN102543813A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 阿施施·布特那格尔;莫妮卡·阿格沃;帕德玛·戈帕拉克里氏南;丹尼尔·马丁 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 王安武 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及用于半导体晶圆处理的高效率静电夹盘组件,大体上提供了高效率的静电夹盘,该夹盘包括挠性堆叠件,该挠性堆叠件具有设置于介电材料的两个层之间的电极。这些层中的至少一个层是标准的或高纯度的热塑性膜。该挠性堆叠件可以在基板支撑表面上具有毛面修整以提供诸如在该夹盘的整个表面上改善的温度分布的优点。该挠性堆叠件的非基板支撑侧或底座容纳侧可以受到等离子体处理,该等离子体处理提供所要的表面修整,随后用丙烯酸或环氧树脂黏接剂将该挠性堆叠件接合至底座,从而产生与传统的聚合物静电夹盘相比而更为优越的接合强度。该电极可以是释放衬垫上的薄片电极,该薄片电极实现了制造的便利。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 处理 高效率 静电 组件 | ||
【主权项】:
一种静电夹盘组件,包括:挠性堆叠件,该挠性堆叠件包括:第一介电层,该第一介电层包括聚芳醚酮,具有基板支撑表面;第二介电层,该第二介电层具有接合表面,该第一介电层接合至该第二介电层;以及预成型薄片电极,该预成型薄片电极设置于该第一介电层与该第二介电层之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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