[发明专利]切割、研磨硅片表面清洗设备

摘要

本发明公开了一种切割、研磨硅片表面清洗的设备，包括硅片、硅片的承载体、依次清洗硅片及完成相应清洗步骤的工位，所述的工位包括设有水和鼓泡超声溢流漂洗的一工位的清洗槽、设有酸溶液和鼓泡中超声清洗的二工位的清洗槽等。本发明克服了酸与碱易产生中和反应的问题，使三工位和四工位的碱性清洗液PH值保持恒定，碱性清洗液的浓度保持稳定，碱性清洗液的去污能力持久有效。通过本发明方法清洗的切割、研磨硅片，其表面洁净度高，重复性好，色泽一致；避免产生花斑、发蓝、发黑等氧化现象，经清洗的硅片合格率高；同时，工艺规定的清洗量有效期内中途不需要添加清洗液，操作简单。

主权项

切割、研磨硅片表面清洗的设备，包括硅片、硅片的承载体、依次清洗硅片及完成相应清洗步骤的工位，所述的工位包括设有水和鼓泡超声溢流漂洗的一工位的清洗槽、设有酸溶液和鼓泡中超声清洗的二工位的清洗槽、设有碱性清洗剂超声清洗的三工位的清洗槽、设有碱性清洗剂超声清洗槽的四工位、设有去离子水超声溢流清洗的五至八工位的清洗槽，其特征在于：所述的二工位的清洗槽与三工位的清洗槽之间设有软化水超声溢流漂洗工位的清洗槽，五至八工位清洗槽中设有高频率超声波发生源；所述的超声清洗槽全部工位的实际有效使用面积内超声波功率为1.5 w/cm2，所述的硅片连同硅片的承载体从八工位去离子水清洗后进入设有高纯氮气温度为100~120℃的九工位离心甩干，而后下料。