[发明专利]一维过剩光载流子光子晶体无效
| 申请号： | 201110339781.3 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102354062A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 杨立峰;王亚非;左笑尘;周鹰;高椿明;王占平 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;G02F1/015 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 杨保刚;徐丰 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种一维过剩光载流子光子晶体，从左至右包括：激发光光源、干涉光路、半导体硅片；其中，所述激发光光源的激发光经过干涉光路后形成了激发光等距直线列干涉条纹照射至半导体硅片上，在半导体硅片上形成若干条并列的周期性的折射率凹槽；所述激发光光源的光子能量大于半导体的禁带宽度；所述干涉光路为迈克耳逊干涉仪或马赫-曾德尔干涉仪中的一种。本发明的光子晶体晶格长度和禁带位置可调，光子晶体结构易实现并且可控；这种光子晶体禁带可通过改变干涉条纹两个相邻明条纹或暗条纹的间隔或者激发光光源的能量来进行调整。它既可以用于普通光子晶体所应用的领域，也可以用于光子晶体光开关，光调制器以及光网络等系统中。 | ||
| 搜索关键词： | 过剩 载流子 光子 晶体 | ||
【主权项】：
一种一维过剩光载流子光子晶体，其特征在于：从左至右包括：激发光光源（1）、干涉光路（2）、半导体硅片（3）；其中，所述激发光光源（1）的激发光经过干涉光路（2）后形成了激发光直线列干涉条纹照射至半导体硅片（3）上，在半导体硅片（3）上形成若干条并列的周期性的折射率凹槽（5）；所述激发光光源（1）的光子能量大于半导体的禁带宽度。
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