[发明专利]降低外延薄膜缺陷的退火方法及利用该方法得到的外延薄膜无效
| 申请号： | 201110340512.9 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102969241A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 宋健民;林逸樵 | 申请（专利权）人： | 铼钻科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种降低外延薄膜缺陷的退火方法及利用该方法得到的外延薄膜，其特征在于对由气相沉积工艺成长在基材上的外延薄膜施以介于10MPa至6,000MPa之间的压力，并加热该外延薄膜至低于该外延薄膜的熔点的温度，经由对该外延薄膜施加该压力，可进而减轻该外延薄膜的晶格应力，使得该外延薄膜的缺陷密度大幅降低。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 外延 薄膜 缺陷 退火 方法 利用 得到 | ||
【主权项】：
一种降低外延薄膜缺陷的退火方法，其特征在于，对由气相沉积工艺成长在基材上的外延薄膜施以介于10MPa至6,000MPa之间的压力，并加热所述外延薄膜至低于所述外延薄膜的熔点的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
