[发明专利]半导体器件制造方法和制造装置有效

专利信息
申请号: 201110340526.0 申请日: 2011-10-20
公开(公告)号: CN102456603A 公开(公告)日: 2012-05-16
发明(设计)人: 浦野裕一 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L21/68 分类号: H01L21/68
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张鑫
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供了一种半导体器件制造方法和制造装置,当晶片有翘曲时,有可能用短时间的紫外线照射来有效地剥离紫外线可剥离带。即使当晶片有翘曲时,通过用紫外线透射板来校正晶片的翘曲并且用紫外光来均匀地照射附着在晶片上的紫外线可剥离带,有可能减少紫外线光源和紫外线可剥离带之间的距离。同样,通过用紫外线透射板来阻断来自紫外线光源的热量,有可能抑制晶片温度的上升。其结果是,有可能用短时间的紫外线照射来有效地从晶片剥离紫外线可剥离带,而不残留任何粘合剂残余物。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法 装置
【主权项】:
一种半导体器件制造方法,包括:将半导体晶片夹持在紫外线透射板和按压构件之间的步骤,所述紫外线透射板被设置成紧贴半导体晶片的附着有紫外线可剥离带的表面,所述按压构件被设置成紧贴半导体晶片的另一表面;使紫外光透过所述紫外线透射板并用所述紫外光来照射所述紫外线可剥离带的步骤;以及从所述半导体晶片剥离所述紫外线可剥离带的步骤。
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