[发明专利]一种点接触背面场异质结太阳电池及其制造方法

摘要

本发明公开了一种点接触背面场异质结太阳电池及其制造方法，其特征在于：采用N型硅片作为衬底，硅衬底背表面依次沉积n/i硅薄膜、导电薄膜、绝缘薄膜和金属层，金属电极与导电薄膜层通过绝缘薄膜层的接触孔形成点接触；硅衬底正表面沉积p/i硅薄膜层，在p型层表面有透明导电薄膜及在其上设置的金属电极。本发明硅衬底的背表面采用绝缘薄膜层将金属与导电薄膜隔开，金属背电极与导电薄膜通过绝缘薄膜层的接触孔形成局部性接触，将金属半导体面接触改为点接触，可降低金属半导体接触的势垒损失，金属面电极有较低的电阻，金属层还能将未被吸收的光线反射进入硅片再次吸收，可提高电池转换效率。

主权项

一种点接触背面场异质结太阳电池，其特征在于：采用N型硅片作为衬底，硅衬底背表面依次沉积n/i硅薄膜、导电薄膜、绝缘薄膜和金属层；所述绝缘薄膜层有接触孔，所述金属电极与导电薄膜层通过接触孔形成点接触；所述硅衬底正表面沉积p/i硅薄膜层，在p型层表面有透明导电薄膜及在其上设置的金属电极。