[发明专利]改善晶圆上栅极光刻关键尺寸均匀性的方法有效
| 申请号： | 201110341214.1 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103094072A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 廖映雪;杨兆宇;许宗能;赵志勇 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/314;G03F7/16 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改善晶圆上栅极光刻关键尺寸均匀性的方法，包括以下步骤：提供晶圆，在所述晶圆表面形成栅极层；在所述栅极层表面淀积氮氧化硅，形成电介质防反射涂层，所述电介质防反射涂层任意一处的厚度与目标厚度的偏差都小于2％；在所述电介质防反射涂层上涂敷光刻胶，曝光形成栅极的光刻图案。本发明还涉及一种改善后的电介质防反射涂层。上述改善晶圆上栅极光刻关键尺寸均匀性的方法，使用一种改善后的电介质防反射涂层(DARC)，通过改善DARC中SiON的厚度的均匀性，有效地控制和调整多晶硅栅极关键尺寸的均匀性，达到解决晶圆边缘漏电的目的。和传统的通过调整光刻程式的方法相比，不需重新制版及验证，缩短了良率改善的时间与成本。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 晶圆上 栅极 光刻 关键 尺寸 均匀 方法 | ||
【主权项】：
一种改善晶圆上栅极光刻关键尺寸均匀性的方法，包括以下步骤：提供晶圆，在所述晶圆表面形成栅极层；在所述栅极层表面淀积氮氧化硅，形成电介质防反射涂层，所述电介质防反射涂层任意一处的厚度与目标厚度的偏差都小于2％；在所述电介质防反射涂层上涂敷光刻胶，曝光形成栅极的光刻图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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