[发明专利]场氧化物湿法刻蚀方法以及半导体器件在审
| 申请号： | 201110342073.5 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102354680A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 胡学清;龙涛 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种场氧化物湿法刻蚀方法。根据本发明的场氧化物湿法刻蚀方法包括：氧化步骤，用于氧化以形成场氧化物；紫外线固化步骤，用于利用紫外线对光刻胶进行固化；场氧化物刻蚀步骤，用于对场氧化物进行刻蚀；以及光刻胶去除步骤，用于去除光刻胶。通过在场氧化物刻蚀步骤之前进行了一个用于利用紫外线对光刻胶进行固化的紫外线固化步骤，可有效地调整场氧化物角度，使之满足要求范围，例如5-10度的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 湿法 刻蚀 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种场氧化物湿法刻蚀方法，其特征在于包括：氧化步骤，用于氧化以形成场氧化物；紫外线固化步骤，用于利用紫外线对光刻胶进行固化；场氧化物刻蚀步骤，用于对场氧化物进行刻蚀；光刻胶去除步骤，用于去除光刻胶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110342073.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：锂微电池及其制造方法
- 下一篇：一种TMOS栅极结构及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
