[发明专利]互连结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种互连结构及其制造方法，先在所述层间介质层中刻蚀通孔，然后在通孔中铜电镀完成后去掉层间介质层再沉积所述第二低K介质层，避免了现有技术中通孔刻蚀时造成的两侧低k介质损伤，以及堆叠偏差造成过刻蚀情况下的通孔下方金属布线侧边的低k介质损伤，所述金属阻挡层在铜电镀时起电极作用，使得铜沿通孔底部竖直向上生长，可以避免铜填充空隙，获得较好的铜填充性能，提高了器件的可靠性和性能。

主权项

一种互连结构的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底自下而上依次包括第一低K介质层以及金属阻挡层，所述第一低K介质层中形成有金属布线；在所述金属阻挡层上依次形成层间介质层和掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述层间介质层形成通孔；移除所述掩膜层，对所述通孔进行铜电镀并进行化学机械研磨使其平坦化，形成填满所述通孔的铜填充；移除所述层间介质层以及所述铜填充两侧的金属阻挡层，并对暴露出来的铜进行表面处理；在所述第一低K介质层上沉积第二低K介质层，并化学机械平坦化所述第二低K介质层以暴露出所述铜填充顶部；在所述第二低K介质层和所述铜填充上方形成覆盖层。