[发明专利]互连结构制造方法有效
申请号: | 201110342188.4 | 申请日: | 2011-11-02 |
公开(公告)号: | CN103094197A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 王冬江;张海洋 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种互连结构制造方法,先在层间介质层中刻蚀金属布线沟槽,然后对金属布线沟槽铜电镀完成后去掉层间介质层再沉积所述低K介质层,避免了现有技术的金属布线工艺中金属布线沟槽刻蚀时造成的两侧低k介质损伤,以及对金属布线沟槽铜电镀时,使用Ta/TaN等内阻挡层和籽晶层而造成的金属布线沟槽的底部低k介质层损伤,而且所述金属阻挡层在对金属布线沟槽铜电镀时起到了电极作用,使得铜沿通孔底部竖直向上生长,可以避免铜填充空隙,获得较好的铜填充性能,提高金属布线质量以及器件的可靠性和电学性能。 | ||
搜索关键词: | 互连 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种互连结构制造方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上依次形成金属阻挡层、层间介质层和掩膜层;以所述掩膜层为掩膜,刻蚀所述层间介质层形成金属布线沟槽;移除所述掩膜层,对所述金属布线沟槽进行铜电镀并进行化学机械研磨使其平坦化,形成填满所述金属布线沟槽的铜填充;移除所述层间介质层以及所述铜填充两侧的金属阻挡层,并对暴露出来的铜填充进行表面处理;在所述半导体衬底上沉积低K介质层,并化学机械平坦化所述低K介质层以暴露出所述铜填充顶部;在所述低K介质层和所述铜填充上方形成覆盖层,形成金属布线结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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