[发明专利]一种SiGe HBT工艺中的PIS电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 201110343136.9 | 申请日： | 2011-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN103094361A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华;段文婷;钱文生;胡君;石晶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiGe HBT工艺中的PIS电容器，包括：硅衬底、浅沟槽隔离、P阱、P型重掺杂区、氧化层、锗硅外延层、隔离侧墙、接触孔和金属线，所述硅衬底上具有浅沟槽隔离和P阱，所述P阱上具有P型重掺杂区，所述浅沟槽隔离与P阱、P型重掺杂区相邻，所述P型重掺杂区上具有氧化层，所述氧化层上具有锗硅外延层，所述隔离侧墙与氧化层、锗硅外延层相邻，所述P阱和锗硅外延层通过接触孔引出连接金属线作为电容器的两端。本发明还公开了所述PIS电容器的制作方法。本发明的PIS电容器及其制造方法打破SiGe HBT工艺中没有PIS电容相关结构的局限，使SiGe HBT工艺增加一种器件选择。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sige hbt 工艺 中的 pis 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SiGe HBT工艺中的PIS电容器，其特征是，包括：硅衬底、浅沟槽隔离、P阱、P型重掺杂区、氧化层、锗硅外延层、隔离侧墙、接触孔和金属线，所述硅衬底上具有浅沟槽隔离和P阱，所述P阱上具有P型重掺杂区，所述浅沟槽隔离与P阱、P型重掺杂区相邻，所述P型重掺杂区上具有氧化层，所述氧化层上具有锗硅外延层，所述隔离侧墙与氧化层、锗硅外延层相邻，所述P阱和锗硅外延层通过接触孔引出连接金属线作为电容器的两端。
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