[发明专利]一种制备禁带宽度可调的硒化物薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110343687.5 | 申请日： | 2011-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN102400098A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 余洲;晏传鹏;张勇;李珂;刘斌;赵勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学;成都欣源光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 51208 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公布了一种制备禁带宽度可调的硒化物薄膜的方法，所述的硒化物薄膜为非晶态，组成通式为InxSe1-x，0.3≤x≤0.6，其作法是：对结晶态的In2Se3靶进行射频磁控溅射，沉积的薄膜即为所述的硒化物薄膜；调节溅射过程中的工艺参数即可调节制备物的禁带宽度。该方法能通过调节制备过程中的工艺参数实现硒化物薄膜的禁带宽度的调节，而无需进行掺入任何杂质元素，其制备工艺简单，对设备要求低，环保节能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 宽度 可调 硒化物 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备禁带宽度可调的硒化物薄膜的方法，所述的硒化物薄膜为非晶态，组成通式为InxSe1‑x，0.3≤x≤0.6，其作法是：对结晶态的In2Se3靶进行射频磁控溅射，沉积的薄膜即为所述的硒化物薄膜；调节溅射过程中的工艺参数即可调节制备物的禁带宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南交通大学;成都欣源光伏科技有限公司，未经西南交通大学;成都欣源光伏科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110343687.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种火炬罐
- 下一篇：一种全塑一体化日光灯管
- 同类专利
- 专利分类
