[发明专利]等离子体掺杂方法以及装置有效
| 申请号： | 201110343772.1 | 申请日： | 2011-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN102468143A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 奥村智洋;斋藤光央;中山一郎;北冈太郎 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01J37/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种结构简单的等离子体掺杂方法以及装置，在等离子体炬单元(T)中，螺旋形的导体棒(3)配置在表面涂敷了硼玻璃的石英管(4)的内部，在其周围配置了黄铜块(5)。一边向筒状室内供应气体一边对导体棒(3)供应高频电力，从而使筒状室内产生等离子体，对基材(2)进行照射。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 掺杂 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体掺杂方法，其中，通过由等离子体的热引起的升华或者由等离子体中的活性种引起的化学蚀刻，从固体产生原子或者分子，通过对表面是半导体的基材(2)照射所述等离子体，从而向所述半导体掺杂所述原子或者分子的同时，将所述半导体加热到可活性化温度从而活性化。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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