[发明专利]非线性光学材料ZnTeMoO6及其晶体的生长方法无效
| 申请号： | 201110344157.2 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102534793A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 罗军华;金成国;孙志华;陈天亮;洪茂椿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B9/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型非线性光学材料碲钼酸锌及其晶体的生长方法，特别是采用缓冷法在TeO2-MoO3熔盐体系中生长碲钼酸锌晶体。非线性光学材料ZnTeMoO6，包括ZnTeMoO6多晶粉体和ZnTeMoO6晶体，其特征在于：粉末倍频效应为2×KTP，透过范围为：0.4μm-22.2μm；所述ZnTeMoO6多晶粉体采用固相合成法制备，所述ZnTeMoO6晶体，生长原料为ZnTeMoO6粉体、TeO2和MoO3，或ZnO、TeO2和MoO3，以TeO2和MoO3作为助溶剂，采用缓冷法在TeO2-MoO3熔盐体系中自发成核生长。该晶体可应用于非线性光学领域，丰富非线性光学材料研究内容。 | ||
| 搜索关键词： | 非线性 光学材料 zntemoo sub 及其 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
非线性光学材料ZnTeMoO6，其特征在于：其粉末倍频效应为2×KTP，其晶体透过范围为：0.4μm‑22.2μm，具备相位匹配能力。
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