[发明专利]具有高反向阻断性能肖特基二极管及其制造方法

摘要

本发明申请提供的是具有高反向阻断性能肖特基二极管及其制造方法。本肖特基二极管管芯构造特点是在漂移区的轻掺杂外延层制有由P型环和均匀间隔分布于P型环内外延层的P型点阵构成的P型结构区，P型环内的外延层表面具有肖特基势垒接触金属层，P型结构区表面具有欧姆金属接触。本器件反向应用时，PN结耗尽区会随反向电压的增加逐渐向沟道区扩散，直至耗尽区连通，并随反向电压的再增加而向衬底方向扩展，在沟道区形成一个有效势垒，将肖特基势垒区有效屏蔽，提高了其反向阻断能力，其反向阻断电压可以达到200V及200V以上规格，而且还具有更佳的反向恢复时间、反向漏电流等技术指标性能，开关工作损耗低、无噪音。

主权项

一种具有高反向阻断性能肖特基二极管，其管芯构造组成：包括重掺杂硅晶衬底(5)，重掺杂硅晶衬底上形成作为漂移区的轻掺杂外延层(4)，漂移区内制有P型结构区，其特征在于P型结构区是由P型环(3)和均匀间隔分布于P型环内外延层的P型点阵(7)构成，P型环内的外延层表面具有肖特基势垒接触的金属层(8)，P型结构区表面具有欧姆金属接触的金属层(9)，管芯上、下表面制作引出电极，P型环外缘设有钝化层(2)。