[发明专利]氧化钨阻变存储器的制备方法有效
| 申请号： | 201110344324.3 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN103094473A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 唐立文;郁新举;陈昊瑜;陈广龙;陈华伦;袁苑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化钨阻变存储器的制备方法，在形成氧化钨阻变存储单元后，包括步骤：在氧化钨阻变存储单元的顶部表面和侧面形成氮硅化合物牺牲层；进行回蚀刻处理，在氧化钨阻变存储单元的侧面形成侧壁阻挡层；形成顶层金属层。本发明能消除顶层金属层和氧化钨阻变存储单元的底部的金属层间的漏电通路，从而能提高氧化钨阻变存储器的擦写操作窗口及可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化钨 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化钨阻变存储器的制备方法，其特征在于：在形成氧化钨阻变存储单元后，包括步骤：步骤一、采用淀积工艺在所述氧化钨阻变存储单元的顶部表面和侧面形成氮硅化合物牺牲层；步骤二、对所述氮硅化合物牺牲层进行回蚀刻处理，将位于所述氧化钨阻变存储单元的顶部表面的所述氮硅化合物牺牲层去除，在所述氧化钨阻变存储单元的侧面形成由所述氮硅化合物牺牲层组成的侧壁阻挡层；步骤三、形成顶层金属层，所述顶层金属层和所述氧化钨阻变存储单元的顶部表面接触；所述侧壁阻挡层将所述顶层金属层和位于所述氧化钨阻变存储单元底部的金属层隔离。
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