[发明专利]一种正八边形霍尔盘结构的CMOS传感器及其制作方法无效
| 申请号： | 201110344479.7 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102509767A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 郭晓雷;金湘亮;夏宇 | 申请（专利权）人： | 湖南追日光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/04;H01L43/14 |
| 代理公司： | 湘潭市汇智专利事务所 43108 | 代理人： | 颜昌伟 |
| 地址： | 410011 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种正八边形霍尔盘结构的CMOS传感器及其制作方法，包括p型衬底、正八边形n阱、p+掺杂区、n+掺杂区、耗尽层、浅掺杂p+掺杂区、氧化层和铝层，所述的正八边形n阱位于p型衬底上，p+掺杂区位于正八边形n阱边缘外侧，n+掺杂区位于正八边形n阱边缘内侧，所述的耗尽层位于正八边形n阱与p型衬底的交界处，所述的浅掺杂p+掺杂区位于正八边形n阱上方，所述的氧化层位于正八边形n阱表面，铝层位于n+掺杂区上方。本发明的正八边形霍尔盘提供了八个端子，从而可以产生八个电流方向，使得失调得以大大减少。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 八边形 霍尔 盘结 cmos 传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种正八边形霍尔盘结构的CMOS传感器，其特征在于：包括p型衬底、正八边形n阱、p+掺杂区、n+掺杂区、耗尽层、浅掺杂p+掺杂区、氧化层和铝层，所述的正八边形n阱位于p型衬底上，p+掺杂区位于正八边形n阱边缘外侧，n+掺杂区位于正八边形n阱边缘内侧，所述的耗尽层位于正八边形n阱与p型衬底的交界处，所述的浅掺杂p+掺杂区位于正八边形n阱上方，所述的氧化层位于正八边形n阱表面，铝层位于n+掺杂区上方。
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